非线性光学晶体是一类最重要的光电功能晶体。它通过倍频、和频、差频、光参量缩放和多光子吸取等非线性过程可以对激光展开调制和操控。这类晶体被普遍应用于激光频率切换、四波混频、光束改向、图像缩放、光信息处理、光存储、光纤通讯、水下通讯等研究领域。

亚硒酸盐化合物因所含活性孤对电子的Se4＋，独自光电场起到下更容易诱导出强的极化，从而产生大的非线性光学效应，因而在二阶非线性光学材料探寻中具有最重要的研究价值。长期以来，强化亚硒酸盐非线性光学材料的非线性光学效应主要是通过引进具备二阶姜－泰勒效应的d0过渡性金属阳离子（如Ti4＋，Nb5＋，V5＋，Mo6＋等）等手段来构建的。

然而，缺憾是当引进d0过渡性金属阳离子强化光学效应的同时，一般来说不会明显地增大材料的带隙数值，并预示着较好的抗激光受损性能。近日，中科院化学系所晶体中心林哲帅研究组在亚硒酸盐材料体系中，明确提出异价代替调控能带结构的分子设计策略，找到并制备了一例在可振幅给定的亚硒酸盐非线性光学材料中具备最宽带隙的新型材料Pb2GaF2（SeO3）2Cl。通过去除过渡性金属、引进主族元素和低电负性的氟元素，Pb2GaF2（SeO3）2Cl的带隙拓宽至4.。

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